SK 海力士開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款 12 層堆疊 HBM3 DRAM 芯片,已向客戶(hù)提供樣品
2023-04-20 15:46:28 來(lái)源:電子工程網(wǎng)


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SK 海力士官網(wǎng)宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能 DRAM(內(nèi)存)——HBM3 的技術(shù)界限,全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊 12 個(gè)單品 DRAM 芯片,成功開(kāi)發(fā)出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新產(chǎn)品。該公司表示,目前正在向客戶(hù)提供樣品,并進(jìn)行性能評(píng)估。

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SK 海力士表示:“繼去年 6 月率先量產(chǎn)業(yè)界首款 HBM3 之后,公司又成功開(kāi)發(fā)出了內(nèi)存容量比前一代產(chǎn)品增加 50% 的 24GB 封裝產(chǎn)品。我們將在下半年向市場(chǎng)供應(yīng)新產(chǎn)品,以滿(mǎn)足由 AI 聊天機(jī)器人行業(yè)帶動(dòng)的高端內(nèi)存產(chǎn)品的需求。”

SK 海力士的工程師通過(guò)應(yīng)用先進(jìn)的批量回流模壓填充(MR-MUF) 技術(shù),提高了新產(chǎn)品的工藝效率和性能穩(wěn)定性,同時(shí)通過(guò)硅通孔(TSV) 技術(shù),將單個(gè) DRAM 芯片的厚度降低了 40%,達(dá)到了與 16GB 產(chǎn)品相同的堆疊高度水平。

HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次開(kāi)發(fā)出來(lái)的一種內(nèi)存,由于它在實(shí)現(xiàn)運(yùn)行在高性能計(jì)算(HPC)系統(tǒng)中的生成型 AI 中起著至關(guān)重要的作用,因此受到了內(nèi)存芯片行業(yè)的廣泛關(guān)注。最新的 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)尤其被認(rèn)為是快速處理大量數(shù)據(jù)的理想產(chǎn)品,因此其被全球主要科技公司采用的情況越來(lái)越多。

SK 海力士已經(jīng)向多個(gè)對(duì)最新產(chǎn)品表達(dá)了極大期待的客戶(hù)提供了 24GB HBM3 產(chǎn)品的樣品,同時(shí)該產(chǎn)品的性能評(píng)估也在進(jìn)行中。

“SK 海力士之所以能夠不斷開(kāi)發(fā)出一系列超高速和高容量的 HBM 產(chǎn)品,是因?yàn)樗诤蠖斯に囍羞\(yùn)用了領(lǐng)先的技術(shù),”SK 海力士封裝測(cè)試部門(mén)負(fù)責(zé)人洪相厚說(shuō),“公司計(jì)劃在今年上半年完成新產(chǎn)品的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,以進(jìn)一步鞏固其在 AI 時(shí)代尖端 DRAM 市場(chǎng)中的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

IT之家注:HBM(High Bandwidth Memory)是一種高價(jià)值、高性能的內(nèi)存,通過(guò)垂直連接多個(gè) DRAM 芯片,與傳統(tǒng)的 DRAM 產(chǎn)品相比,大幅提高了數(shù)據(jù)處理速度。HBM DRAM 產(chǎn)品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)的順序開(kāi)發(fā)。現(xiàn)有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂直堆疊 8 個(gè)單品 DRAM 芯片的 16GB。

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