作者：徐風(fēng)，編輯：小市妹

年初以來爆火的人工智能，催生了一批超級大牛股，從下游應(yīng)用領(lǐng)域的傳媒、游戲，到上游硬件領(lǐng)域的光模塊，漲幅翻倍的公司比比皆是。

但是，表現(xiàn)最強(qiáng)的，是來自存在感稍弱的存儲(chǔ)芯片板塊。今年以來，科創(chuàng)板上市公司佰維存儲(chǔ)漲幅超過5倍，在A股5000多家公司中排名第一。

(資料圖片僅供參考)

作為國內(nèi)少數(shù)同時(shí)掌握NAND Flash、DRAM存儲(chǔ)器研發(fā)設(shè)計(jì)與封測制造的企業(yè)，佰維存儲(chǔ)牛冠A股的背后，映射出存儲(chǔ)芯片困境反轉(zhuǎn)的預(yù)期，和國產(chǎn)替代的大勢所趨。

【拐點(diǎn)將至】

2022年，存儲(chǔ)芯片價(jià)格一路下跌，從云端跌向谷底。

研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，制造硬盤的NAND閃存芯片價(jià)格指數(shù)去年全年下跌了41％，制造內(nèi)存條的DRAM芯片價(jià)格指數(shù)下跌35％。其中第四季度兩種存儲(chǔ)芯片的跌幅高達(dá)20％～25％，創(chuàng)下了2008年以來的最大季度跌幅記錄。

存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)最大的細(xì)分板塊，2021年全球市場規(guī)模超過1500億美元，占半導(dǎo)體總規(guī)模的35％左右。

美聯(lián)儲(chǔ)持續(xù)加息和全球宏觀經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)背景下，半導(dǎo)體行業(yè)去年經(jīng)歷了近10年來最嚴(yán)重的衰退，而庫存可能處于歷史最高水平的存儲(chǔ)芯片，受到的沖擊無疑最為嚴(yán)重。

面對行業(yè)不景氣和極其糟糕的業(yè)績壓力，SK海力士、美光、三星等全球存儲(chǔ)芯片大廠不得不下調(diào)資本開支，給出供給收縮預(yù)期。根據(jù)Gartner最新預(yù)測數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開支2023年約為1372億美元，同比下滑19．0％；

一邊是供給收縮，另一邊是增量需求的涌現(xiàn)。

伴隨著通訊技術(shù)不斷迭代，萬物互聯(lián)已成時(shí)代浪潮，數(shù)據(jù)也呈現(xiàn)指數(shù)級別增長：

資料顯示，全球數(shù)據(jù)量從2010年的2ZB（1ZB代表十萬億億個(gè)字節(jié)）增長到2021年的將近60ZB，十年時(shí)間翻了30倍，并預(yù)計(jì)2025年將繼續(xù)增長至175ZB。其中互聯(lián)網(wǎng)全球領(lǐng)先的中國，無疑將成為全球最大的數(shù)據(jù)圈。到2025年，中國數(shù)據(jù)量預(yù)計(jì)將增長至48．6ZB，占全球數(shù)據(jù)量的27．8％。

海量數(shù)據(jù)的涌現(xiàn)，正是當(dāng)下人工智能爆發(fā)的前提和基石，同時(shí)極大地刺激了存儲(chǔ)的需求。

從歷史經(jīng)驗(yàn)來看，存儲(chǔ)芯片下跌周期一般在2年左右，其價(jià)格漲跌跟美元利率以及全球宏觀經(jīng)濟(jì)景氣度關(guān)系密切。

2021年下半年至今，存儲(chǔ)芯片價(jià)格已經(jīng)下跌了18個(gè)月，DRAM和NAND Flash兩大內(nèi)存芯片價(jià)格下跌周期長達(dá)20個(gè)月之久。

按照過往規(guī)律，存儲(chǔ)價(jià)格預(yù)計(jì)在今年第二季度到達(dá)谷底，隨著美聯(lián)儲(chǔ)加息預(yù)期減弱帶來的經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇預(yù)期，以及增量需求的大量涌現(xiàn)，行業(yè)有望在三季度之后觸底反彈，完成困境反轉(zhuǎn)。

【國產(chǎn)替代再迎契機(jī)】

中國是存儲(chǔ)芯片消費(fèi)的第一大國。2021年，我國存儲(chǔ)芯片的市場規(guī)模達(dá)到5494億元，占全球存儲(chǔ)芯片市場份額超過55％。

但是，中國存儲(chǔ)市場大部分都被外資品牌占據(jù)，國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片占比不足10％。目前，全球存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)能高度集中于日韓美等國家，其中DRAM主要被三星、海力士和美光三家壟斷，2021年CR3達(dá)到94％，NAND Flash被三星、鎧俠、海力士以及美光等六家廠商壟斷，CR6為93％。

對于習(xí)慣了后發(fā)趕超的中國制造來講，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域較低的國產(chǎn)化率，本身就意味著較大的國產(chǎn)替代的空間，而自主可控和地緣因素，更為國產(chǎn)替代提供了重要契機(jī)。

3月31日晚間，國家互聯(lián)網(wǎng)信息辦公室下設(shè)的“網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室”宣布，對美光公司在華銷售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。

美光是美國存儲(chǔ)芯片龍頭，是全球第二大DRAM產(chǎn)商和第五大NAND廠商，截至2022年底，美光在全球DRAM和NAND閃存市場分別占據(jù)23％、10．7％的份額。

作為全球最大的存儲(chǔ)芯片公司之一，美光被中國政府審查，其實(shí)遠(yuǎn)不止是安全問題。

最近幾年來，不斷有媒體爆出，美光是打壓中國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的“幕后推手”。2018年至2022年，美光花了954萬美元用于游說，目的就是為了打擊中國的存儲(chǔ)制造產(chǎn)業(yè)。

中國市場對美光極其重要。2018年，美光在中國一年的營收達(dá)到173．57億美元，占到該公司當(dāng)年總收入的58％，這也是美光害怕中國存儲(chǔ)崛起的重要原因。

中國政府審查美光的底氣，無疑是來自國產(chǎn)存儲(chǔ)的崛起。

事實(shí)上，美光近年來在華銷售收入已經(jīng)大幅下降，2022年下降到33億美元，占公司營收比重只有11％，存儲(chǔ)芯片的國產(chǎn)替代已是大勢所趨。

【誰能扛起大旗？】

如果美光在中國的業(yè)務(wù)受限，首先受益的自然是利基存儲(chǔ)市場。

利基存儲(chǔ)主要包含4Gb DDR4及以下的DRAM，2D NAND及NOR Flash、EEPROM等品類，毛利較低，市場規(guī)模遠(yuǎn)小于主流儲(chǔ)存產(chǎn)品，但是相應(yīng)技術(shù)壁壘也相對較低，國外巨頭正在逐步退出這部分競爭，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司正在逐步崛起。

在利基存儲(chǔ)領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新無疑是成長最快、實(shí)力最強(qiáng)的公司。

兆易創(chuàng)新的存儲(chǔ)芯片營收中70％來自NOR閃存、利基型DRAM占比18％，其余小部分為NAND閃存，公司目前產(chǎn)品布局主要面向IPC、機(jī)頂盒、掃地機(jī)器人等物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域利基市場需求。

2012年到2021年，兆易創(chuàng)新NOR閃存全球市占率從3．4％提升至23％，排名全球第三，僅次于旺宏和華邦，NOR營收的年化復(fù)合增速高達(dá)30％左右。

▲來源：財(cái)信證券

在利基型DRAM車用存儲(chǔ)領(lǐng)域，北京君正通過并購獲得了后發(fā)趕超的優(yōu)勢。

2020年，北京君正72億收購北京硅成半導(dǎo)體，后者在全球全球車用DRAM市場有15％的市場份額，居全球第二位，僅次于美光的40％，正是美光的國內(nèi)市場的重要替代者。

但是，利基市場規(guī)模實(shí)在太小。2021年，NAND全球市場規(guī)模超過600億美元，DRAM市場規(guī)模超過800億，而NOR全球市場規(guī)模僅31億美元，利基型DRAM也不過74億，顯然，光靠利基市場顯然并不能真正實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)存芯片的國產(chǎn)替代，國產(chǎn)儲(chǔ)存要真正崛起，還是得在主流產(chǎn)品領(lǐng)域和外國巨頭直接競爭。

在主流的DRAM和NAND領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新其實(shí)也有布局，并且已經(jīng)取得一定進(jìn)展，這是A股存儲(chǔ)龍頭未來的重大看點(diǎn)之一，但是目前其市場份額太小，還不足以和國外巨頭競爭。

真正具備一定實(shí)力、能直接和國外巨頭抗衡的，是兩家還未上市的重要公司，成立于2016年的長鑫存儲(chǔ)和長江存儲(chǔ)。其中長鑫存儲(chǔ)主攻DRAM內(nèi)存，長江存儲(chǔ)主攻NAND閃存。

長鑫存儲(chǔ)最先進(jìn)的量產(chǎn)芯片主要是19nm工藝的DDR4，和國際巨頭相比落后5－6年。但是DRAM正在逐漸逼近10nm的天花板，其性能和技術(shù)提升的速度已經(jīng)大幅放緩，這給長鑫存儲(chǔ)等國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的加速追趕提供了難得的機(jī)遇期。

目前，長鑫存儲(chǔ)國內(nèi)市場份額估計(jì)已超過3％，初步打破了國際巨頭對DRAM的壟斷。

相對而言，國產(chǎn)NAND閃存的進(jìn)程更快一些。

2019年，長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存量產(chǎn)，這是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，標(biāo)志著中國在3D NAND閃存領(lǐng)域逐步進(jìn)入國際一流梯隊(duì)，而中國制造的優(yōu)勢，也提升了國產(chǎn)NAND閃存的性價(jià)比。

最近兩年來，在存儲(chǔ)芯片的下行周期中，采用國產(chǎn)NAND閃存顆粒的固態(tài)硬盤（SSD）憑借超高的性價(jià)比逆勢崛起，部分采用長江存儲(chǔ)顆粒的2T SSD產(chǎn)品已降價(jià)至600元以下，甚至比三星的1T SSD還便宜。

2021年，長江存儲(chǔ)在NAND領(lǐng)域的全球市占率已經(jīng)達(dá)到4％，2022年估算達(dá)到7％，已經(jīng)具備強(qiáng)大的行業(yè)競爭力。

自主可控的背景下，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)要最終實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代，國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈的日益完善，是不可或缺的重要一環(huán)。

在上游設(shè)備領(lǐng)域，存儲(chǔ)芯片對光刻機(jī)要求不高，但對刻蝕機(jī)要求比較高。一定程度上講，中微公司在刻蝕機(jī)領(lǐng)域的崛起，是我國存儲(chǔ)芯片行業(yè)的救命稻草。

目前，中微公司的刻蝕機(jī)最先進(jìn)制程已經(jīng)達(dá)到3nm，幾乎可以滿足最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)。

下游的存儲(chǔ)模組行業(yè)，江波龍和百維存儲(chǔ)在全球市場也有較強(qiáng)競爭力，其中江波龍司eMMC及UFS在全球市場占有率為6．5％，全球第六，國內(nèi)第一，佰維存儲(chǔ)全球市占率2．4％，全球第八，國內(nèi)第二。

兩家公司的主要供應(yīng)商，都包括美光。一旦美光被制裁，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)有可能贏得更多的國內(nèi)下游市場。

存儲(chǔ)芯片的國產(chǎn)替代，如今已是國家戰(zhàn)略，兆易創(chuàng)鑫、江波龍和佰維存儲(chǔ)都陸續(xù)獲得了國家大基金的投資，持股比例都在5％以上。

今年3月，國家大基金二期入股長江存儲(chǔ)，認(rèn)繳出資額高達(dá)128．87億元人民幣，持股比例超過12％。

科技自強(qiáng)、自主可控的舉國體制下，國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的春天，就在眼前。

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