【資料圖】

IGBT的漢語名為絕緣柵雙極型晶體管，其是由一個MOS場效應管和一個大功率雙極型三極管組合而成的，內部等效電路與復合管相似，可以看成是一個MOS管和一個大功率三極管構成的復合管。▲ IGBT等效電路及圖形符號。

從上圖可見，IGBT的輸入端就是一個MOS場效應管，其輸出端為一個雙極型三極管。其輸入特性與MOS場效應管相似，屬于電壓控制（輸入電流極小），這樣可以減小前級驅動電路的負擔；其輸出特性與雙極型三極管相似，在大電流下具有較小的飽和壓降。

IGBT和場效應管皆為電壓控制器件，工作時從前級電路汲取的電流很小（μA級），它們都具有良好的高頻性能。IGBT多用于高電壓、大電流場合，而在低電壓大電流下，VMOS場效應管則更具有優勢。此外，場效應管的高頻性能比IGBT更好，并且價格也比IGBT便宜。▲ FGA25N120的外形及引腳排列。

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上圖為電磁爐上常用的25N120功率管，其電流為25A，BVceo為1200V，Pc為310W，飽和壓降為5V。▲ 場效應管的圖形符號。▲ TO-220封裝的10N60場效應管。

10N60為TO-220封裝的N溝道場效應管。其漏極電流為10A，耐壓值為600V，導通電阻Rds為0.73Ω。

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